快闪记忆体（flash memory，有时称为flash RAM）是一种不断供电的非易失性存储器，它能在称为块（block）的存储单位中进行删除和改编。快闪记忆体是电可擦写可程式唯读存储器（EEPROM）的变体，EEPROM与快闪记忆体不同的是，它在位元组层面上进行删除和重写，这样EEPROM就比快闪记忆体的更新速度慢。通常用快闪记忆体来保存控制代码，比如在个人电脑中的基本输入输出系统（BIOS）。当需要改变（重写）输入输出系统时，快闪记忆体可以以块（而不是位元组）的大小输写，这样快闪记忆体就更容易更新。但另一方面，快闪记忆体不像随机存取存储器（RAM）一样有用，因为随即存取存储器可以在位元组（而不是块）层面上设定地址。

快闪记忆体（flash memory）这个名字是因为微晶片被组织来使存储单元的一部分能在一瞬间（或闪电般的）被删除得出的。这种删除是通过隧道效应（Fowler-Nordheim tunneling）进行的，在隧道效应中电子刺破薄薄的一层绝缘材料来从每个存储单元的浮栅中移动电荷。Intel提供了一种形式的快闪记忆体，它在每个存储单元保存2比特（而不是1比特），这样能够使存储量翻倍而无需增加相应的价格。

快闪记忆体被用于数码手机、数位照相机、区域网路交换机、笔记本电脑的PC卡、嵌入式控制器等设备中。

存储瓶颈的具体位置通常决定了在什幺地方部署快闪记忆体存储技术（例如在主机端或是磁碟阵列端），但存储瓶颈和具体的使用案例关係并不大，但却和现有的存储基础架构戚戚相关。不管怎样，部署位置的判断可以影响到所使用的快闪记忆体存储类型（固态存储驱动器或是快闪记忆体插卡，如PCIe的插卡），以及将其部署为快取或单独的存储层。快闪记忆体存储的部署类型又决定了所需的容量（分层模式会比快闪记忆体模式需要更多容量），而成本和预算又会对容量产生限制。