英特尔公司的研究人员宣布製造出全球最小的SRAM(StaticRandomAccessMemory--静态随机存储晶片)存储晶片单元，尺寸仅为1平方微米。这些单元是存储晶片的基本模组，它们是使用英特尔下一代0.09微米(90纳米)工艺製造的全功能SRAM设备的一部分。这一成果对于在2003年採用新型製造工艺具有里程碑式的意义。

英特尔高级副总裁兼生产製造事业部总经理SunlinChou先生说："英特尔新型的一平方微米SRAM单元为硅技术确立新的密度标準。这一结果使我们在微处理器和其它产品的0.09微米製造工艺方面居于领先地位。"

通过使用新型0.09微米製造工艺，英特尔保持了每两年推出一代新工艺的记录。公司将使用这一工艺生产许多其它产品，包括处理器、晶片组和通信产品。英特尔计画只将0.09微米工艺套用在300毫米(12英寸)晶圆上。

英特尔研究人员製造出的52Mb存储晶片(能够存储5200万独立比特的信息)，在仅为109平方毫米的晶片上集成有3.3亿颗电晶体--比一个一角美元硬币还小。这是迄今为止报导过的容量最大的SRAM。

这些晶片在英特尔位于俄勒岗州Hillsboro的300毫米开发工厂(D1C)製造，配合使用先进的193纳米和248纳米液相工具。

製造SRAM晶片是业界常用的测试下一代逻辑製造工艺的方式。存储单元的尺寸大小非常重要，因为这使得英特尔可以通过添加更多的片上快取，增加整体逻辑密度，经济有效地提升微处理器性能。成功生产SRAM同时显示了使用0.09微米工艺生产微处理器时所需要的全部特性都已经成熟，其中包括高性能电晶体及高速铜线互连。