江潮：男， 1965年1月生。1986年毕业于北京大学物理系。现为国家纳米科学研究中心研究员，主要研究方向低维半导体纳米结构的外延生长製备和物性研究。
1989年和1998年分别获中国科学院物理研究所和半导体研究所理学硕士和工学博士学位。
所学专业为半导体物理和材料。
基本介绍
- 中文名：江潮
- 出生日期：1965年1月生
- 毕业院校：北京大学
- 性别：男
主要研究方向
为：低维半导体纳米结构的外延生长製备和物性研究。
自1998年7月至2005年12月先后在日本北海道大学量子集成电子学研究中心和东京大学生产技术研究所从事博士后研究。2005年底回国加入国家纳米科学中心任研究员、博士生导师，获中科院“百人计画”项目资助。
以往的研究经历和主要成果包括：化合物半导体分子束外延（MBE）材料生长和相关器件製备。特别是研究了与GaSb基半导体量子点（Quantum Dot）相关的外延生长，物理光学性质和输运特性。并套用分子束外延的方法实现了非平麵条纹图形衬底的选择外延生长原子平滑的高质量脊型量子线及其相关物性的研究。获中国国家科技进步三等奖一项。曾多次参加国际重要学术会议，近年已在国际科技期刊上发表SCI收录文章三十余篇。
拟开展的研究方向
1.新型化合物半导体纳米材料和结构的生长特性研究
2.新型纳米量子结构及半导体异质结器件研究
3.微纳米半导体结构物理表征
4.开展物理、生物和化学之间交叉的新兴科学的研究