沟道雪崩击穿是小尺寸MOSFET中的一种强电场效应。在短沟道n-MOSFET中，沟道中较强的电场，可使沟道中的电子通过碰撞电离和雪崩倍增而产生出大量的电子-空穴对 (在漏端夹断区更明显)，倍增出的电子将被漏极吸收、并使漏极电流剧增而导致器件击穿——沟道雪崩击穿；与此同时也将产生较大的寄生衬底电流 (空穴被衬底吸收所致)。

短沟道MOSFET发生击穿而失效的主要原因往往就是沟道雪崩击穿与沟道穿通两种效应。